Ion-tof公司

Author: zbqj

August undefined, 2024

http://www.iontof.com.cn/ WebIONTOF - TOF-SIMS (time of flight secondary ion mass spectrometry) - LEIS (low energy ion scattering). Ion beam technology products for surface spectrometry, surface analysis, depth profiling, surface imaging, 3D analysis, …

公司简介_北京艾飞拓科技有限公司（IONTOF中国代表处）

Web24 mrt. 2024 · Time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS) is a sensitive surface analytical technology, which can simultaneously acquire diverse chemical components and their precise locations on the surfaces of samples without any requirements for chemical damage pretreatments or additional matrices. Commonly, the … Web2.3. ToF-SIMS 和Rf-GDOES深度剖析 ToF-SIMS 和Rf-GDOES 设备分别是德国ION-ToF 公司的ION-ToF SIMS 5和法国Horiba 公司的 GD-Profiler2。ToF-SIMS 深度剖析的工作参数为：2keV O 2 +溅射离子，30keVBi+为二次离子源，束流强 grantee institution/agency

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WebThe TOF.SIMS 5 is the latest generation of high-end TOF-SIMS instruments developed by IONTOF Company. Its design guarantees optimum performance in all fields of SIMS applications. The instruments offers three ion sources offering Bi1–7+, Cs+ and O2+ and is equipped with a reflectron TOF analyzer giving high secondary ion transmission with ... Web我司作为德国ion-tof公司的中国总代理，成立于2012年。主要负责中国大陆及港澳地区的销售、售后、宣传、技术培训等工作。公司成员来自北京大学、中科院物理所等一流院校 … WebThe positive and negative spectra for each sample were acquired using TOF-SIMS.5 (ION-TOF GmbH, Münster) with 60 keV Bi 3 2+, current of 0.2 pA, as a primary ion beam and a 10 keV Ar 1000 +, current of 2 nA, as a sputtering beam. 16 The analysis area was 100 × 100 μm 2, with a pixel density of 128 × 128, and the sputtering area was 500 × ... chip and joanna gaines website

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IONTOF - TOF-SIMS (time of flight secondary ion mass …

WebIONTOFジャパン株式会社 Your NEW Partner for Surface Analysis 2024年4月始動！ M6 - SIMS technology one step ahead M6 は、IONTOF社が提案する最新世代の TOF-SIMS です。最新のイオン銃およびアナライザーを搭載し、分析性能、操作性が大きく向上しました。あらゆる分野の分析ニーズに対応し、産業および学術研究に理想的な製品です。 … Web25 mei 2024 · IONTOF GmbH Heisenbergstr.15 48149 Münster Germany www.iontof.com Registergericht: Amtsgericht Münster, HRB 10680 Geschäftsführer: Dr. Ewald Niehuis …

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Web德国ion tof公司是目前国际tof-sims仪器主要生产商。 2003年，德国ion tof公司研发了第五代tof-sims仪器。 2005年，德国ion tof公司推出第一代bi源。 2010年，德国ion tof公司 … WebZ-Gap MCP Microchannel Plate Detectors are available with 18mm, 25mm or 40mm Microchannel Plates. Note: Z-Gap detectors cannot be used to detect negative ions or electrons. Jordan TOF Products, Inc. 990 Golden Gate Terrace Grass Valley, CA 95945 Phone: 530-272-4580 E-mail: [email protected]

Web22 dec. 2024 · IONTOF: TOF-SIMS products for time of flight secondary ion mass spectrometry and LEIS products low energy ion scattering and ion scattering … Web为了进一步简化谱图数据处理，IONTOF 为 M6 提供了各种工具，例如质谱图库，完全集成的多元统计分析（MVSA）软件包，以及强大性能的 Q ExactiveTM 功能扩展。 M6 TOF …

WebIONTOF GmbH Heisenbergstr.15 48149 Münster Germany www.iontof.com Registergericht: Amtsgericht Münster, HRB 10680 Geschäftsführer: Dr. Ewald Niehuis Website … Web26 dec. 2009 · 本文简要叙述法国cameca 公司,德国ion tof gmbh 公司新型的nano sims50ims wf ims sc uitra tof sims iv 型二次离子质谱的特色,着重介绍这些仪器改进过的和新增加的 …

WebAn ion source (either pulsed or continuous) is used for lab-related TOF experiments, but not needed for TOF analyzers used in space, where the sun or planetary ionospheres …

Web主流的ToF相机厂商包括pmd、ams、ST、TI、Infineon、Sony、Optrima、微软等少数几家，其中pmd是一家能够提供户内、户外均能使用的ToF相机厂商，其产品具备多种探测距离，可适用于科研、工业和消费电子等多种场合；Optrima和微软的ToF相机主要面向家庭、娱乐应用，价格相对较低。 Pmd与Infineon Pmd的总部位于德国锡根，且在美国圣荷西、 … gran tee investments llc fostekWebIONTOF是一家拥有不同产品线的飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）和高灵敏度低能离子散射（LEIS）的前沿表面分析仪器研究者和制造商。. IONTOF集团如今由四家公司分工 … chip and joanna gaines waco siloWebAbout IONTOF GmbH: IONTOF is a manufacturer of innovative instruments for surface analysis with different product lines for time-of-flight secondary ion mass spectrometry … chip and joanna kidsWebION-TOF公司创建于1989年，是专门研究和生产飞行时间二次离子质谱仪器(TOF-SIMS)的高科技公司。其创始人贝宁豪文(Beninghoven)教授是静态二次离子质谱的奠基人，创建 … chip and joanna interior designWeb3 jul. 2012 · 北京艾飞拓科技有限公司作为德国ION-TOF公司的中国总代理，成立于2012年。. 公司成员来自北京大学、中科院物理所等一流院校研究生。. 主要负责中国大陆及港澳地区的销售、售后、宣传、技术培训等工作。. “以物理学、材料学、国际贸易等专业背景打造的 ... chip and joanna house remodelsWeb• TOF-SIMS: “ION-TOF IV” instrument. Ga-LMIS analytical source, 25 keV, high current bunched mode (typically m/∆m = 8000), analysis area 60×60 µm2. Sputter source Ar-EI, 3 keV, sputter area 200×200 µm2. Pulsed electron source for neutralisa-tion, 4×10–6 mbar argon flooding for sensitivity enhancement. chip and joanna houseshttp://www.iontof.com.cn/bk_22421317.html grantee in spanish